一種IC裝備用靜電卡盤AlN陶瓷及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010110066.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111302806A 公開（公告）日 2020-06-19
申請公布號 CN111302806A 申請公布日 2020-06-19
分類號 C04B35/581(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 李晨輝;鄒陽;胡梁;史玉升;劉江安;吳甲民;賀智勇;張啟富 申請（專利權(quán)）人 北京鋼研新冶精特科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 華中科技大學(xué)專利中心 代理人 華中科技大學(xué);北京鋼研新冶精特科技有限公司
地址 430074湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于陶瓷制備領(lǐng)域，并具體公開了一種IC裝備用靜電卡盤AlN陶瓷及其制備方法。該制備方法具體為：將AlN、Sm2O3的混合粉末或AlN、Y2O3的混合粉末與有機(jī)溶劑混合，并利用濕法球磨工藝進(jìn)行研磨，以此獲得混合漿料；采用蒸餾的方式將混合漿料進(jìn)行固液分離獲得干燥粉末；對干燥粉末進(jìn)行放電等離子燒結(jié)，從而制得IC裝備用靜電卡盤AlN陶瓷。本發(fā)明采用Sm2O3或Y2O3作為燒結(jié)助劑，能夠保證制得陶瓷中形成一種或多種稀土鋁酸鹽，從而有效改善其體積電阻率，同時本發(fā)明采用的放電等離子燒結(jié)工藝能夠極大地縮短燒結(jié)時間，有效提高AlN陶瓷的相對密度，以此滿足IC裝備用靜電卡盤的基材要求。??