一種IC裝備用靜電卡盤AlN陶瓷及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010110066.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111302806A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-06-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111302806A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-19 |
| 分類號(hào) | C04B35/581(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 李晨輝;鄒陽(yáng);胡梁;史玉升;劉江安;吳甲民;賀智勇;張啟富 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 北京鋼研新冶精特科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 華中科技大學(xué)專利中心 | 代理人 | 華中科技大學(xué);北京鋼研新冶精特科技有限公司 |
| 地址 | 430074湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于陶瓷制備領(lǐng)域，并具體公開(kāi)了一種IC裝備用靜電卡盤AlN陶瓷及其制備方法。該制備方法具體為：將AlN、Sm2O3的混合粉末或AlN、Y2O3的混合粉末與有機(jī)溶劑混合，并利用濕法球磨工藝進(jìn)行研磨，以此獲得混合漿料；采用蒸餾的方式將混合漿料進(jìn)行固液分離獲得干燥粉末；對(duì)干燥粉末進(jìn)行放電等離子燒結(jié)，從而制得IC裝備用靜電卡盤AlN陶瓷。本發(fā)明采用Sm2O3或Y2O3作為燒結(jié)助劑，能夠保證制得陶瓷中形成一種或多種稀土鋁酸鹽，從而有效改善其體積電阻率，同時(shí)本發(fā)明采用的放電等離子燒結(jié)工藝能夠極大地縮短燒結(jié)時(shí)間，有效提高AlN陶瓷的相對(duì)密度，以此滿足IC裝備用靜電卡盤的基材要求。?? |
