閘機(jī)設(shè)備及其控制方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010714603.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN111856603A 公開(kāi)(公告)日 2020-10-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN111856603A 申請(qǐng)公布日 2020-10-30
分類(lèi)號(hào) G01V5/00(2006.01)I 分類(lèi) 測(cè)量;測(cè)試;
發(fā)明人 魏清陽(yáng);劉亞強(qiáng);江年銘;許天鵬;黃帥 申請(qǐng)(專利權(quán))人 北京永新醫(yī)療設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 北京永新醫(yī)療設(shè)備有限公司
地址 101102北京市通州區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)通州園金橋科技產(chǎn)業(yè)基地環(huán)科中路17號(hào)17A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種閘機(jī)設(shè)備以及應(yīng)用閘機(jī)設(shè)備所進(jìn)行的控制方法。其中,該設(shè)備包括:多個(gè)閘機(jī)本體和控制器,多個(gè)閘機(jī)本體中的相鄰兩個(gè)閘機(jī)本體之間形成閘機(jī)通道,閘機(jī)本體包括第一放射源探測(cè)器和第二放射源探測(cè)器,第一放射源探測(cè)器包括第一NaI閃爍晶體探測(cè)器和第一中子慢化劑材料層,第二放射源探測(cè)器包括第二NaI閃爍晶體探測(cè)器和第二中子慢化劑材料層;控制器,分別與每個(gè)閘機(jī)本體中的第一NaI閃爍晶體探測(cè)器和第二NaI閃爍晶體探測(cè)器連接;其中,控制器用于通過(guò)每個(gè)閘機(jī)本體中的第一NaI閃爍晶體探測(cè)器和第二NaI閃爍晶體探測(cè)器進(jìn)行放射源檢測(cè),并根據(jù)放射源檢測(cè)結(jié)果,確定放射源所在的閘機(jī)通道。該設(shè)備可提高設(shè)備探測(cè)的準(zhǔn)確性。??