一種具有埋層結構的超勢壘整流器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110658323.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113299763A 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN113299763A 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L29/861（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 謝馳;王為;李銘;曾瀟;李澤宏 申請（專利權）人 貴州恒芯微電子科技有限公司
代理機構 貴陽中新專利商標事務所 代理人 劉楠
地址 550081貴州省貴陽市高新區(qū)金陽園區(qū)都勻路12號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有埋層結構的超勢壘整流器件，包括背面金屬層、第一導電類型半導體漂移區(qū)、第二導電類型半導體體區(qū)、第一導電類型半導體重摻雜源區(qū)、柵氧化層、多晶硅柵極、正面金屬層、第一導電類型半導體重摻雜區(qū)和第二導電類型半導體埋層，本發(fā)明通過創(chuàng)造性設計正面金屬層結構及其與之接觸的相關區(qū)域布置，在通過設置第一導電類型半導體重摻雜區(qū)和第二導電類型半導體埋層，使得本發(fā)明形成多道電流路徑分布，且由于第一導電類型半導體重摻雜區(qū)設置，使得初始電流路徑的導通電壓更低，且穩(wěn)定性高，本發(fā)明結構簡單，工藝制備相對容易，實用性強，本發(fā)明結構簡單，工藝制備相對容易，實用性強。