一種屏蔽柵功率MOS的器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201821774060.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN210092093U 公開(kāi)（公告）日 2020-02-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN210092093U 申請(qǐng)公布日 2020-02-18
分類號(hào) H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李澤宏;吳玉舟;王為;謝馳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 貴州恒芯微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 貴陽(yáng)中新專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 貴州恒芯微電子科技有限公司
地址 550000 貴州省貴陽(yáng)市市轄區(qū)國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)貴陽(yáng)國(guó)家高新區(qū)金陽(yáng)科技產(chǎn)業(yè)園標(biāo)準(zhǔn)廠房附1號(hào)1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提出的一種屏蔽柵功率MOS的器件，在溝槽底部淀積的屏蔽柵采用不摻雜的多晶硅，同時(shí)其電位設(shè)置為浮空，不與源極電位相連，有效降低柵源電容。屏蔽柵結(jié)構(gòu)保證功率MOS漂移區(qū)的電荷平衡效應(yīng)降低導(dǎo)通電阻、提高擊穿電壓，同時(shí)利用不摻雜多晶硅的半絕緣性調(diào)制耐壓時(shí)漂移區(qū)的電勢(shì)線分布更為均勻，從而使得本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)具有比傳統(tǒng)屏蔽柵功率MOS更高的擊穿電壓。