一種具有低導(dǎo)通壓降的槽柵型超勢(shì)壘整流器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110650714.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113299762A 公開（公告）日 2021-08-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN113299762A 申請(qǐng)公布日 2021-08-24
分類號(hào) H01L29/861（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李銘;謝馳;王為;曾瀟;李澤宏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 貴州雅光電子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 貴陽中新專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 劉楠
地址 550081貴州省貴陽市高新區(qū)金陽園區(qū)都勻路12號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有低導(dǎo)通壓降的槽柵型超勢(shì)壘整流器件，包括背面金屬層，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漂移區(qū)、柵氧化層、多晶硅柵極、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s源區(qū)、正面金屬層，本發(fā)明通過創(chuàng)造性設(shè)計(jì)柵氧化層、多晶硅柵極、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體體區(qū)和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s源區(qū)結(jié)構(gòu)布局，再通過設(shè)置第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)及布置，使得本發(fā)明可形成多道電流路徑分布，且由于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重?fù)诫s區(qū)，使得初始電流路徑的電壓更低，且穩(wěn)定性高，從而大大降低了正向?qū)▔航?，提高了二極管正向過流能力，本發(fā)明工藝制備相對(duì)容易，實(shí)用性強(qiáng)。