一種新型屏蔽柵功率MOS的器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821774123.0 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN209626226U 公開（公告）日 2019-11-12
申請公布號(hào) CN209626226U 申請公布日 2019-11-12
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I; H01L29/49（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I; H01L23/552（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李澤宏; 吳玉舟; 王為; 謝馳 申請（專利權(quán)）人 貴州恒芯微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 貴陽中新專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 貴州恒芯微電子科技有限公司
地址 550000 貴州省貴陽市市轄區(qū)國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)貴陽國家高新區(qū)金陽科技產(chǎn)業(yè)園標(biāo)準(zhǔn)廠房附1號(hào)1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提出的一種新型屏蔽柵功率MOS器件，采用不摻雜多晶硅屏蔽柵，該屏蔽柵電位浮空不與源極相連，且柵極與屏蔽柵間無層間氧化層。本實(shí)用新型提出的浮空不摻雜多晶硅屏蔽柵結(jié)構(gòu)，在保持與傳統(tǒng)屏蔽柵結(jié)構(gòu)相似的低的密勒電容的同時(shí)，顯著提高器件的擊穿電壓，降低正向?qū)娮?，顯著降低了柵源電容，即減小了器件的輸入電容。此外由于重?fù)诫s多晶硅柵極和不摻雜多晶硅屏蔽柵之間無層間氧化層，提高了柵氧可靠性，同時(shí)使得本實(shí)用新型的屏蔽柵功率MOS器件制造完溝槽后可直接熱生長柵氧化層，省去了原有傳統(tǒng)屏蔽柵功率MOS制造屏蔽柵和形成柵極結(jié)構(gòu)的工藝流程，簡化了工藝復(fù)雜程度。