與雙柵氧高低壓CMOS工藝兼容提高器件穩(wěn)定性的π型柵多晶及其制作方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010635339.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111799224A | 公開（公告）日 | 2020-10-20 |
| 申請公布號 | CN111799224A | 申請公布日 | 2020-10-20 |
| 分類號 | H01L21/8238(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 殷萬軍;鐘怡;劉玉奎;朱坤峰;桂林;梁康弟;裴穎;李光波;譚開州;劉青;錢呈 | 申請（專利權(quán)）人 | 重慶中科渝芯電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 重慶縉云專利代理事務所（特殊普通合伙） | 代理人 | 重慶中科渝芯電子有限公司 |
| 地址 | 401332重慶市沙坪壩區(qū)西園二路98號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開與雙柵氧高低壓CMOS工藝兼容提高器件穩(wěn)定性的π型柵多晶及其制作方法，方法步驟：1)實施薄柵氧化層；2)淀積柵多晶薄膜；3)制作π型柵多晶結(jié)構(gòu)；器件包括襯底、N型阱、自對準P型阱等。本發(fā)明實現(xiàn)了精細控制柵多晶厚度有效抑制后續(xù)氧化刻蝕工藝對于柵多晶縱向尺寸的影響，提高了柵多晶薄膜的電性能穩(wěn)定性和工藝一致性，有效改善與高精密線性雙多晶電容模塊兼容性，有效提高了雙多晶電容電壓系數(shù)和近零偏壓電容電壓對稱性。通過抑制摻雜離子特別是硼離子進入柵多晶薄膜，有效改善PMOS器件柵多晶表面平整性和產(chǎn)品長期可靠性。通過替代有機抗反射涂層，提高工藝兼容性并降低產(chǎn)品的制造成本，有效提升產(chǎn)品成品率和市場競爭力。?? |
