一種高速低損耗的多槽柵高壓功率器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910805724.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110504308B 公開（公告）日 2021-03-30
申請公布號 CN110504308B 申請公布日 2021-03-30
分類號 H01L29/739(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏杰;黃俊岳;馬臻;王晨霞;魯娟;郗路凡;宋旭;羅小蓉;楊永輝;朱坤峰 申請（專利權）人 重慶中科渝芯電子有限公司
代理機構 成都點睛專利代理事務所（普通合伙） 代理人 孫一峰
地址 611731四川省成都市高新西區(qū)西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于功率半導體技術領域，具體涉及一種高速低損耗的多槽柵高壓功率器件。相對與傳統(tǒng)結構，本發(fā)明在發(fā)射極端與集電極端均引入多個槽柵結構。正向導通時，集電極端槽柵側壁溝道關斷，N+集電區(qū)與N型緩沖層連通路徑被阻斷，因而可消除電壓折回效應。發(fā)射極端槽柵結構不僅增加溝道密度以降低溝道區(qū)電阻，而且阻擋槽柵和載流子存儲層可有效提高漂移區(qū)載流子濃度，因此新器件可獲得更低的正向導通壓降。關斷過程中，隨著集電極電壓升高，集電極端槽柵側壁溝道開啟，使N+集電區(qū)與N型緩沖層連通而形成電子快速抽取路徑，加速器件關斷以降低關斷損耗。因此，本發(fā)明具有更小的正向導通壓降和關斷損耗，而且沒有電壓折回效應。??