一種集成整流器的平面MOSFET及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110336377.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113257917A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113257917A 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖添;李孝權(quán);劉勇;胡鏡影;楊嬋;王盛;譚磊;王飛;冉明 申請（專利權(quán)）人 重慶中科渝芯電子有限公司
代理機構(gòu) 重慶縉云專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 王翔
地址 401332重慶市沙坪壩區(qū)西園二路98號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種集成整流器的平面MOSFET及其制造方法，平面MOSFET包括第一導(dǎo)電類型外延層（1）、隔離環(huán)（2）、厚氧化層（3）、第一阱區(qū)（4）、第一源區(qū)（5）、柵氧層（6）、多晶電極層（7）、介質(zhì)層（8）、第二阱區(qū)（9）、金屬層（10）；方法包括分別形成第一導(dǎo)電類型外延層（1）、隔離環(huán)（2）、厚氧化層（3）、第一阱區(qū)（4）、第一源區(qū)（5）、柵氧層（6）、多晶電極層（7）、介質(zhì)層（8）、第二阱區(qū)（9）、金屬層（10）的步驟。本發(fā)明相比于現(xiàn)有集成肖特基二極管，其體二極管正向壓降更低，并且具有更好的高溫工作特性。