一種基于BiCMOS工藝的硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010884582.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112071757A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112071757A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-11 |
| 分類號(hào) | H01L21/331(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱坤峰;張廣勝;楊永暉;鐘怡;崔偉;譚開(kāi)洲;黃東;錢呈;楊法明;張培健 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 重慶中科渝芯電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 重慶縉云專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 重慶中科渝芯電子有限公司;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所 |
| 地址 | 401332重慶市沙坪壩區(qū)西園二路98號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)一種基于BiCMOS工藝的硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法，步驟為：1)生長(zhǎng)LOCOS隔離場(chǎng)氧化層，形成最優(yōu)硅基襯底；2)形成SiGe HBT晶體管發(fā)射極有源區(qū)與集電極有源區(qū)之間的LOCOS場(chǎng)氧化層、器件間用于隔離的LOCOS氧化層；3)在最優(yōu)硅基襯底表面形成SiGe HBT晶體管基區(qū)窗口；4)在最優(yōu)硅基襯底的表面形成SiGe HBT晶體管基區(qū)外延材料層；5)在最優(yōu)硅基襯底的表面形成SiGe HBT晶體管發(fā)射區(qū)窗口；6)在最優(yōu)硅基襯底表面形成SiGe HBT晶體管多晶發(fā)射結(jié)精細(xì)結(jié)構(gòu)和外基區(qū)；7)在最優(yōu)硅基襯底表面淀積介質(zhì)層，完成金屬互連，形成SiGe HBT晶體管。本發(fā)明采用局部?jī)纱蔚栌惭谀ぱ趸に嚪椒ǎ瑴p小了HBT晶體管外基區(qū)高臺(tái)階，從而減小了外基區(qū)高臺(tái)階反射對(duì)發(fā)射結(jié)多晶光刻造成的影響。?? |
