一種基于BiCMOS工藝的硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010884582.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112071757A 公開（公告）日 2020-12-11
申請公布號 CN112071757A 申請公布日 2020-12-11
分類號 H01L21/331(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱坤峰;張廣勝;楊永暉;鐘怡;崔偉;譚開洲;黃東;錢呈;楊法明;張培健 申請（專利權(quán)）人 重慶中科渝芯電子有限公司
代理機構(gòu) 重慶縉云專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 重慶中科渝芯電子有限公司;中國電子科技集團公司第二十四研究所
地址 401332重慶市沙坪壩區(qū)西園二路98號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種基于BiCMOS工藝的硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法，步驟為：1)生長LOCOS隔離場氧化層，形成最優(yōu)硅基襯底；2)形成SiGe HBT晶體管發(fā)射極有源區(qū)與集電極有源區(qū)之間的LOCOS場氧化層、器件間用于隔離的LOCOS氧化層；3)在最優(yōu)硅基襯底表面形成SiGe HBT晶體管基區(qū)窗口；4)在最優(yōu)硅基襯底的表面形成SiGe HBT晶體管基區(qū)外延材料層；5)在最優(yōu)硅基襯底的表面形成SiGe HBT晶體管發(fā)射區(qū)窗口；6)在最優(yōu)硅基襯底表面形成SiGe HBT晶體管多晶發(fā)射結(jié)精細(xì)結(jié)構(gòu)和外基區(qū)；7)在最優(yōu)硅基襯底表面淀積介質(zhì)層，完成金屬互連，形成SiGe HBT晶體管。本發(fā)明采用局部兩次氮化硅硬掩膜氧化工藝方法，減小了HBT晶體管外基區(qū)高臺階，從而減小了外基區(qū)高臺階反射對發(fā)射結(jié)多晶光刻造成的影響。??