一種多晶自摻雜平滑頂柵JFET器件及其制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010582154.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111933694A | 公開（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申請公布號 | CN111933694A | 申請公布日 | 2020-11-13 |
| 分類號 | H01L29/10(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉建;稅國華;林濤;歐紅旗;馮志成;闞玲;劉青;朱坤峰;黃磊;王飛;張劍喬;張培健 | 申請（專利權(quán)）人 | 重慶中科渝芯電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 重慶縉云專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 重慶中科渝芯電子有限公司;中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所 |
| 地址 | 401332重慶市沙坪壩區(qū)西園二路98號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種多晶自摻雜平滑頂柵JFET器件及其制造方法；器件包括P型襯底100、P型埋層101、N型外延層102、P型隔離穿透區(qū)103、場氧層104、預(yù)氧層105、P型溝道區(qū)106、P型重?fù)诫s源漏區(qū)107、多晶柵區(qū)108、N型柵擴(kuò)散區(qū)109、TEOS金屬前介質(zhì)層110、源漏極第一層金屬111和柵極第一層金屬112。制造方法步驟為：1)注入第一導(dǎo)電類型埋層。2)生長第二導(dǎo)電類型外延層。3)注入第一導(dǎo)電類型隔離穿透區(qū)。4)生長場氧層。5)注入第一導(dǎo)電類型溝道區(qū)。6)注入第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s源漏區(qū)。7)形成多晶柵區(qū)。8)刻蝕出第二導(dǎo)電類型柵擴(kuò)散區(qū)。9)淀積TEOS金屬前介質(zhì)層。形成源漏極第一層金屬和柵極第一層金屬。本發(fā)明器件的對輸入阻抗的大小以及對閾值電壓精確控制的能力都有很大的提升。?? |
