一種用ICP干法刻蝕制作薄膜電阻的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710767049.3 申請日 -
公開（公告）號 CN107742607B 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN107742607B 申請公布日 2021-05-11
分類號 H01L21/306;H01L21/308;H01L23/64 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭億文;冉明;王學毅;王飛;崔偉 申請（專利權）人 重慶中科渝芯電子有限公司
代理機構 重慶大學專利中心 代理人 王翔
地址 401332 重慶市沙坪壩區(qū)西園二路98號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用ICP干法刻蝕制作薄膜電阻的方法，其特征在于，包括：襯底介質層、薄膜電阻層、掩蔽層、介質層、隔離層和金屬層。進行以下步驟：1)在襯底介質層上淀積一層電阻薄膜層。2)在所述電阻薄膜層上淀積一層掩蔽層。3)通過ICP干法刻蝕的方法去除電阻薄膜層和掩蔽層，形成電阻圖形。4)在所述電阻圖形上淀積一層介質層。利用光刻刻蝕工藝去除多余的介質層，保留端頭介質層。5)利用刻蝕工藝去除薄膜電阻層上多余的掩蔽層，保留端頭介質層保護下的掩蔽層。6)在電阻圖形上淀積隔離層，并在電阻端頭刻蝕形成連接孔。7)淀積金屬層，填充連接孔，引出電阻。