一種用ICP干法刻蝕制作薄膜電阻的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710767049.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107742607B 公開（公告）日 2021-05-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN107742607B 申請(qǐng)公布日 2021-05-11
分類號(hào) H01L21/306;H01L21/308;H01L23/64 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭億文;冉明;王學(xué)毅;王飛;崔偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 重慶中科渝芯電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶大學(xué)專利中心 代理人 王翔
地址 401332 重慶市沙坪壩區(qū)西園二路98號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用ICP干法刻蝕制作薄膜電阻的方法，其特征在于，包括：襯底介質(zhì)層、薄膜電阻層、掩蔽層、介質(zhì)層、隔離層和金屬層。進(jìn)行以下步驟：1)在襯底介質(zhì)層上淀積一層電阻薄膜層。2)在所述電阻薄膜層上淀積一層掩蔽層。3)通過ICP干法刻蝕的方法去除電阻薄膜層和掩蔽層，形成電阻圖形。4)在所述電阻圖形上淀積一層介質(zhì)層。利用光刻刻蝕工藝去除多余的介質(zhì)層，保留端頭介質(zhì)層。5)利用刻蝕工藝去除薄膜電阻層上多余的掩蔽層，保留端頭介質(zhì)層保護(hù)下的掩蔽層。6)在電阻圖形上淀積隔離層，并在電阻端頭刻蝕形成連接孔。7)淀積金屬層，填充連接孔，引出電阻。