低位錯(cuò)密度高可靠性高低壓CMOS自對(duì)準(zhǔn)雙阱工藝方法及器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110591089.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113380799A 公開（公告）日 2021-09-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113380799A 申請(qǐng)公布日 2021-09-10
分類號(hào) H01L27/092（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 殷萬軍;劉玉奎;崔偉;桂林;梁康弟;譚開州;裴穎 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 重慶中科渝芯電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶縉云專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 王翔
地址 401332重慶市沙坪壩區(qū)西園二路98號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開低位錯(cuò)密度高可靠性高低壓CMOS自對(duì)準(zhǔn)雙阱工藝方法及器件。方法步驟：1）形成低缺陷密度高壓N型阱和低壓N型阱；2）形成自對(duì)準(zhǔn)P型阱；3）兼容高低壓兼容厚薄柵氧結(jié)構(gòu)；4）兼容多層金屬互連結(jié)構(gòu)；器件包括襯底、高壓N型阱、低壓N型阱、自對(duì)準(zhǔn)P型阱、LOCOS場(chǎng)氧化層、低壓MOS薄柵氧化層、柵多晶層、P型MOS輕摻雜源漏注入?yún)^(qū)、側(cè)壁保護(hù)層、P型MOS源漏注入?yún)^(qū)、多晶層、氧氮介質(zhì)層、N型MOS源漏注入?yún)^(qū)、高壓MOS厚柵氧化層、柵多晶層頂層氧氮介質(zhì)保護(hù)層、硅/多晶硅?金屬層M1間接觸孔、硅/多晶硅/場(chǎng)氧?金屬層M1層間ILD介質(zhì)平坦化層等。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了精細(xì)控制高壓阱區(qū)的位錯(cuò)缺陷密度，有效抑制高壓阱區(qū)隔離PN結(jié)反向偏置漏電。