反偏型硅發(fā)光SOI光電隔離器、其集成電路及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910823544.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110491967B 公開（公告）日 2021-03-02
申請公布號 CN110491967B 申請公布日 2021-03-02
分類號 H01L31/173(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃磊;孫宏亮;徐開凱;趙建明;施寶球;范洋;洪繼霖;錢津超;李建全;曾尚文;李洪貞;廖楠;徐銀森;黃平;劉繼芝;陳勇 申請（專利權(quán)）人 重慶中科渝芯電子有限公司
代理機構(gòu) 石家莊科誠專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉蘭芳
地址 611731四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種反偏型硅發(fā)光SOI光電隔離器，包括作為襯底硅的第一襯底、作為SiO2中間層的第一介質(zhì)層和頂層硅，第一襯底與頂層硅通過智能剝離技術(shù)鍵合；反偏型硅發(fā)光SOI光電隔離器包括制作在第一襯底中的硅光探測器、第一介質(zhì)層以及制作在頂層硅中的硅光源。本發(fā)明還公開了上述光電隔離器的制作方法，并進一步公開了上述反偏型硅發(fā)光SOI光電隔離器的集成電路及其制作方法。本發(fā)明提供了硅光源與硅光探測器軸向排布，面積小、制造成本低，具有較高的光傳輸效率和集成度；本發(fā)明的光電隔離器可以與電路集成在同一個襯底上，硅光源與硅光探測器軸向堆疊，進一步降低了制造成本，具有較高的集成度，適用于光電隔離器的集成技術(shù)領(lǐng)域。??