具有大表面積閘極的VMOSFET芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620536646.6 申請日 -
公開（公告）號 CN205680677U 公開（公告）日 2016-11-09
申請公布號 CN205680677U 申請公布日 2016-11-09
分類號 H01L23/48(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張崇健;費(fèi)龍慶 申請（專利權(quán)）人 江西聯(lián)順半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯智英財(cái)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 吳懷權(quán)
地址 美國加州費(fèi)利蒙市企業(yè)街4450號101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種具有大表面積閘極的VMOSFET芯片，包括：一芯片本體；其中該VMOSFET芯片的源極與門極配置在該芯片本體的上方，而該VMOSFET芯片的汲極則配置在下方；其中該閘極的面積大于3mm×3mm；此面積使得導(dǎo)線可以很容易地安裝到該閘極上。本實(shí)用新型將該閘極的面積盡量的加大，以利于半導(dǎo)體封裝時的施工作業(yè)，因此可以節(jié)省人工成本。