ZnO襯底外延結構及其制作方法、ZnO襯底芯片結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110414223.9 申請日 -
公開（公告）號 CN102522469B 公開（公告）日 2014-06-11
申請公布號 CN102522469B 申請公布日 2014-06-11
分類號 H01L33/06(2010.01)I;H01L33/28(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪英杰;吉愛華;王凱敏 申請（專利權）人 內蒙古華延芯光科技有限公司
代理機構 濰坊正信專利事務所 代理人 內蒙古華延芯光科技有限公司
地址 017400 內蒙古自治區(qū)鄂爾多斯市杭錦旗錫尼鎮(zhèn)阿斯爾大街10號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種ZnO襯底外延結構及其制作方法，以及含有該外延結構的ZnO襯底芯片結構。所述外延結構的外延片包括從下至上依次設置的ZnO襯底、GaN過渡層、第一N-GaN接觸層、摻雜Si和Zn的In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱發(fā)光層、第一P-GaN接觸層、N-GaN級聯(lián)層、第二N-GaN接觸層、摻雜Si和Zn的In0.49Ga0.51N/GaN多量子阱發(fā)光層和第二P-GaN接觸層。本發(fā)明的ZnO襯底外延結構及芯片結構不用涂覆熒光粉，因此從根本上擺脫了熒光粉的束縛，發(fā)光質量好、顯色性好、提高了工作穩(wěn)定性和使用壽命，減少了封裝工序，可以使從白光LED的外延、芯片、封裝、應用整個產(chǎn)業(yè)鏈的生產(chǎn)工藝簡化，生產(chǎn)效率高，適于大批量生產(chǎn)。