利用溫度循環(huán)法提高GaN基LED器件工作壽命的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410227596.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103972336B 公開（公告）日 2017-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN103972336B 申請(qǐng)公布日 2017-03-22
分類號(hào) H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵春林;汪英杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 內(nèi)蒙古華延芯光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京權(quán)泰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 內(nèi)蒙古華延芯光科技有限公司
地址 017400 內(nèi)蒙古自治區(qū)鄂爾多斯市杭錦旗錫尼鎮(zhèn)阿斯?fàn)栁鹘直钡囟愋^(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種利用溫度循環(huán)法提高GaN基LED器件工作壽命的方法，包括以下步驟：A.在基底1上采用低溫氣相沉積技術(shù)生長GaN緩沖層2，其中所述低溫是500℃；B.采用高溫氣相沉積技術(shù)在所述GaN緩沖層2上生長GaN半導(dǎo)體層3，其中所述高溫是1050℃；C.對(duì)所述GaN半導(dǎo)體層3進(jìn)行至少一次溫度循環(huán)處理，其中每一次溫度循環(huán)中將溫度從1050℃降到500℃,再升溫到1055℃，然后降溫到1050℃；D.在經(jīng)過溫度循環(huán)處理后的GaN半導(dǎo)體層3上，繼續(xù)生長后續(xù)的其它各層。經(jīng)過本發(fā)明的方法得到的半導(dǎo)體器件，晶體的位錯(cuò)密度減少，LED器件的發(fā)光工作壽命延長。