一種提高錫基鈣鈦礦晶體生長(zhǎng)質(zhì)量的方法及太陽(yáng)能電池器件
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111139088.1 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113943972A | 公開(kāi)(公告)日 | 2022-01-18 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113943972A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-18 |
分類號(hào) | C30B1/02(2006.01)I;C30B29/54(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
發(fā)明人 | 吳朝新;董化;李培舟;樊欽華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 寧波激智創(chuàng)新材料研究院有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 西安新動(dòng)力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 胡維 |
地址 | 315000浙江省寧波市高新區(qū)滄海路189弄2號(hào)6號(hào)樓A3 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明屬于無(wú)機(jī)復(fù)合太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種提高錫基鈣鈦礦晶體生長(zhǎng)質(zhì)量的方法及太陽(yáng)能電池器件。該方法,先將制備的錫基鈣鈦礦薄膜于制冷臺(tái)上靜置20~30min,制冷臺(tái)的溫度為0~5℃;再移動(dòng)至加熱臺(tái)上靜置,使其晶粒尺寸變大到現(xiàn)有技術(shù)的3~4倍以上。本發(fā)明相比于傳統(tǒng)改變前驅(qū)液組分的方式,具有以下不同:首先,其結(jié)晶控制可擴(kuò)展到各種基于碘化錫的鈣鈦礦薄膜,調(diào)整靈活,簡(jiǎn)化了鈣鈦礦結(jié)晶的工藝條件;然后,采取多種手段沉積的薄膜,如旋涂、噴涂、浸泡、刮涂或輥涂,均可通過(guò)此方法提高結(jié)晶的質(zhì)量,因此對(duì)設(shè)備和環(huán)境的要求較低;最后,實(shí)施時(shí)間短,工藝簡(jiǎn)單,作用過(guò)程溫度低,可充分滿足器件大面積和商業(yè)化使用的需要。 |
