用于多晶硅生產(chǎn)中還原爐的抽吸式噴嘴
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021948624.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN213326755U | 公開（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申請公布號 | CN213326755U | 申請公布日 | 2021-06-01 |
| 分類號 | C01B33/035（2006.01）I;C01B33/03（2006.01）I | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
| 發(fā)明人 | 賈琳蔚;朱彬;陳彬;楊楠;陳紹林;李壽琴;劉逸楓;甘居富 | 申請（專利權(quán)）人 | 云南通威高純晶硅有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都天嘉專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 向丹 |
| 地址 | 678100云南省保山市工貿(mào)園區(qū)昌寧園中園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種用于多晶硅生產(chǎn)中還原爐的抽吸式噴嘴，屬于多晶硅生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。包括噴嘴芯體和噴嘴殼體，噴嘴芯體內(nèi)形成第一進(jìn)氣腔和收縮口；噴嘴殼體下部套設(shè)在噴嘴芯體外側(cè)，噴嘴殼體頂端形成噴口，噴嘴殼體內(nèi)形成第二進(jìn)氣腔；噴嘴殼體上設(shè)置用于外源氣進(jìn)入的開口，開口與第二進(jìn)氣腔連通。噴嘴噴射時，第二進(jìn)氣腔內(nèi)形成低壓區(qū)，第二進(jìn)氣腔外的外源氣會被吸入；在第二進(jìn)氣腔中，外源氣與原料氣混合，兩者共同從頂部噴口噴射，頂部噴口噴射的氣體流量大于噴嘴底部的進(jìn)氣流量，使得噴嘴出氣噴射更高，有效提高爐內(nèi)各組分分布的均勻性，進(jìn)而減少硅棒上疏松、珊瑚狀等非致密沉積，提高硅棒產(chǎn)品質(zhì)量，降低電耗。?? |
