一種多晶硅還原爐電極結(jié)構(gòu)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202021562548.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN213141423U | 公開(公告)日 | 2021-05-07 |
申請公布號 | CN213141423U | 申請公布日 | 2021-05-07 |
分類號 | C01B33/035(2006.01)I | 分類 | - |
發(fā)明人 | 陳紹林;甘居富;劉逸楓;周鵬;劉斌;王亞萍;楊楠;賈琳蔚 | 申請(專利權(quán))人 | 云南通威高純晶硅有限公司 |
代理機構(gòu) | 成都天嘉專利事務所(普通合伙) | 代理人 | 趙麗 |
地址 | 678100云南省保山市工貿(mào)園區(qū)昌寧園中園 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型公開了一種多晶硅還原爐電極結(jié)構(gòu),屬于多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,包括電極體,所述電極體安裝在還原爐底盤內(nèi),所述電極體和還原爐底盤之間設有的電極絕緣套,所述電極體還套接有絕緣環(huán),所述絕緣環(huán)設置在電極絕緣套上方,所述絕緣環(huán)的內(nèi)徑比電極體的外徑大0.03?0.6mm,可以解決還原爐在生產(chǎn)過程中,爐內(nèi)硅粉隨氣流流動并沉積在電極、絕緣環(huán)及底盤表面,易造成電極與底盤之間形成電氣短路,影響還原爐正常生產(chǎn),以及增加隔熱罩成本高,易帶入雜質(zhì)的問題。?? |
