MRAM與其的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710526108.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109216538B 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN109216538B 申請公布日 2022-07-15
分類號 H01L43/08（2006.01）I;H01L43/12（2006.01）I;G11C11/16（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王雷;劉魯萍 申請（專利權）人 中電海康集團有限公司
代理機構 北京康信知識產權代理有限責任公司 代理人 -
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路1500號1幢311
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环NMRAM與其的制作方法。該制作方法包括：步驟S1，在襯底的表面上設置金屬導線層；步驟S3，在金屬導線層的遠離襯底的表面上設置介電層；步驟S4，采用雙大馬士革工藝形成多個間隔的通孔，通孔包括第一部分與第二部分，第二部分的深度小于第一部分的深度，第二部分的寬度大于第一部分的寬度；步驟S5，在各通孔中填充底電極材料，形成底電極，底電極的遠離襯底的表面與介電層的遠離襯底的表面在同一個平面上，底電極材料為非銅的導電材料。該方法避免了先在通孔中填充銅，然后再在銅上設置底電極的兩步工藝，且由于不設置Cu，避免了由于Cu的硬度較低而導致不能形成較平整的表面的問題。