一種多晶硅和準(zhǔn)單晶硅鑄錠爐及其使用方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410155592.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103966657B 公開(kāi)（公告）日 2017-04-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN103966657B 申請(qǐng)公布日 2017-04-19
分類號(hào) C30B11/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 李帥;趙百通;高文秀 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇盎華光伏工程技術(shù)研究中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上?？坡蓪＠硎聞?wù)所（特殊普通合伙） 代理人 金碎平
地址 214222 江蘇省無(wú)錫市宜興經(jīng)濟(jì)開(kāi)放區(qū)文莊路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種多晶硅和準(zhǔn)單晶硅鑄錠爐及其使用方法，所述鑄錠爐包括石英坩堝，其中，所述石英坩堝的外側(cè)設(shè)有第一感應(yīng)加熱器，底部設(shè)有第二感應(yīng)加熱器，頂部設(shè)有第三感應(yīng)加熱器，所述石英坩堝外設(shè)有石墨坩堝，所述石英坩堝和石墨坩堝之間設(shè)有隔熱層，所述第一感應(yīng)加熱器圍繞設(shè)置在石墨坩堝的外側(cè)。本發(fā)明提供的多晶硅和準(zhǔn)單晶硅鑄錠爐及其使用方法，通過(guò)采用雙層坩堝并在不同方位設(shè)置多個(gè)感應(yīng)加熱器，利用螺旋線圈產(chǎn)生交變磁場(chǎng)在多晶硅原料和溶液內(nèi)產(chǎn)生渦旋電流，由于感應(yīng)線圈處在高溫?zé)釁^(qū)之外，加熱時(shí)熱損耗較少；通過(guò)對(duì)感應(yīng)加熱器的線圈排布進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，在爐內(nèi)實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的定向溫度梯度，更好地控制長(zhǎng)晶方向并進(jìn)行快速的定向凝固。