一種負壓式硅片制作設(shè)備及其控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510166783.5 申請日 -
公開（公告）號 CN104818529B 公開（公告）日 2017-04-19
申請公布號 CN104818529B 申請公布日 2017-04-19
分類號 C30B29/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 高文秀;李帥;趙百通 申請（專利權(quán)）人 江蘇盎華光伏工程技術(shù)研究中心有限公司
代理機構(gòu) 上?？坡蓪＠硎聞?wù)所（特殊普通合伙） 代理人 金碎平;袁亞軍
地址 214213 江蘇省無錫市宜興經(jīng)濟開發(fā)區(qū)文莊路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種負壓式硅片制作設(shè)備及其控制方法，包括爐體，所述爐體內(nèi)設(shè)有用于盛放硅液的坩堝，所述坩堝的外側(cè)周圍設(shè)有加熱器，所述坩堝的上方設(shè)有硅片提取單元，所述硅片提取單元包括可一起上下移動的冷卻腔和擴容減壓室，所述冷卻腔伸入到擴容減壓室中，所述擴容減壓室的上端封閉，下端開口并在開口處設(shè)有耐溫掛件，所述耐溫掛件圍繞在冷卻腔的周圍并伸出冷卻腔的底部，所述冷卻腔的外壁、擴容減壓室的內(nèi)壁以及硅液之間可形成密閉負壓腔，所述爐體上設(shè)有硅片承接板，所述硅片承接板上設(shè)有高頻感應(yīng)線圈。本發(fā)明可實現(xiàn)由硅熔液直接形成硅片的過程，硅片厚度薄，重復(fù)性好，大大節(jié)省了硅材料及單個硅片的能耗，并降低硅太陽能電池成本。