一種硅太陽能電池背板及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410153100.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103956399B 公開（公告）日 2017-01-11
申請公布號 CN103956399B 申請公布日 2017-01-11
分類號 H01L31/049(2014.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高文秀;李帥;趙百通 申請（專利權(quán)）人 江蘇盎華光伏工程技術(shù)研究中心有限公司
代理機構(gòu) 上?？坡蓪＠硎聞?wù)所（特殊普通合伙） 代理人 金碎平
地址 214222 江蘇省無錫市宜興經(jīng)濟開放區(qū)文莊路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅太陽能電池背板及其制作方法，所述硅太陽能電池背板，包括硅片基板和鋁膜，其中，所述鋁膜印刷在硅片基板上，所述鋁膜和硅片基板之間設(shè)有鈦摻雜層；制作步驟如下：a)首先提供硅片基板；b)接著在硅片基板背表面通過離子注入的方式注入鈦原子；c)再將硅片基板放入激光快速熔融系統(tǒng)中，在硅片基板背表面形成鈦摻雜層；d)最后對具有鈦摻雜層的硅片基板背表面進行鋁漿印刷和燒結(jié)，形成覆蓋在鈦摻雜層上的鋁膜。本發(fā)明提供的硅太陽能電池背板及其制作方法，在硅片基板背面表層均勻摻雜指定濃度范圍的鈦元素形成紅外吸收層，從而可大幅度提高硅太陽能電池對紅外波段的吸收系數(shù)，進而提高太陽能電池的效率。