采用籽晶引導(dǎo)的硅片制作設(shè)備及其控制方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510165541.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104726932B 公開（公告）日 2017-06-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN104726932B 申請(qǐng)公布日 2017-06-06
分類號(hào) C30B28/04(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 高文秀;李帥;趙百通 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇盎華光伏工程技術(shù)研究中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上?？坡蓪＠硎聞?wù)所（特殊普通合伙） 代理人 金碎平;袁亞軍
地址 214213 江蘇省無錫市宜興經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)文莊路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種采用籽晶引導(dǎo)的硅片制作設(shè)備及其控制方法，所述硅片制作設(shè)備包括爐體，所述爐體內(nèi)設(shè)有用于盛放熔融硅液的石英坩堝，所述石英坩堝的外側(cè)周圍設(shè)有加熱器，其中，所述石英坩堝的上方設(shè)有相變蓄熱塊，所述相變蓄熱塊的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)有片狀矩形籽晶和籽晶夾板，所述片狀矩形籽晶固定在與升降機(jī)構(gòu)相連的籽晶夾持器上。本發(fā)明提供的采用籽晶引導(dǎo)的硅片制作設(shè)備及其控制方法，通過采用相變蓄熱塊吸收硅液面熱量，硅片直接形成于硅液表面，由籽晶夾板擠壓硅片脫離籽晶，安全可靠，溫度恒定，生長硅片的晶向可控，位錯(cuò)少，籽晶引導(dǎo)生長速率塊，能夠極大的節(jié)省硅材料并降低單個(gè)硅片的能耗。