采用補(bǔ)償硅料的n型單晶硅拉制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510145846.9 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN104746134B 公開（公告）日 2017-08-22
申請公布號(hào) CN104746134B 申請公布日 2017-08-22
分類號(hào) C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 高文秀;李帥;趙百通 申請（專利權(quán)）人 江蘇盎華光伏工程技術(shù)研究中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上?？坡蓪＠硎聞?wù)所（特殊普通合伙） 代理人 金碎平
地址 214213 江蘇省無錫市宜興經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)文莊路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種采用補(bǔ)償硅料的n型單晶硅拉制方法，包括如下步驟：a)選用含有磷和硼的n型多晶硅原料；b)將n型多晶硅原料投入單晶爐主加熱腔室中，加熱熔化后使用n型晶向的籽晶引晶拉制形成單晶硅棒；c)將單晶硅棒向上提起放入單晶爐副腔室，關(guān)閉主加熱腔室與副腔室閘板，并向副腔室沖入氬氣，對單晶硅棒進(jìn)行冷卻。本發(fā)明通過選用含有磷和硼的n型多晶硅原料，無需再添加額外的n型或p型摻雜劑，降低太陽能電池成本；并且由于硅液中同時(shí)含有大量的磷和硼，一定含量的硼的分凝，對于磷的小的分凝系數(shù)所造成的電阻率分布梯度大，起到一定的補(bǔ)償?shù)淖饔?，從而使得n型單晶硅片的電阻率分布更加集中均勻。