采用氧化層輔助的硅片制作設(shè)備及其控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510167500.9 申請日 -
公開（公告）號 CN104805500B 公開（公告）日 2017-04-19
申請公布號 CN104805500B 申請公布日 2017-04-19
分類號 C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 高文秀;李帥;趙百通 申請（專利權(quán)）人 江蘇盎華光伏工程技術(shù)研究中心有限公司
代理機構(gòu) 上海科律專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 金碎平;袁亞軍
地址 214213 江蘇省無錫市宜興經(jīng)濟開發(fā)區(qū)文莊路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種采用氧化層輔助的硅片制作設(shè)備及其控制方法，包括爐體，所述爐體內(nèi)設(shè)有石英坩堝，所述石英坩堝的外側(cè)周圍設(shè)有加熱器，上方設(shè)有薄石英管，所述薄石英管的一端開口向下，另一端固定在夾持器上，所述夾持器和驅(qū)動電機相連并可帶動薄石英管一起旋轉(zhuǎn)升降，所述薄石英管內(nèi)設(shè)有氣冷腔，所述氣冷腔中通有冷卻氣體，所述氣冷腔的底部設(shè)有微細(xì)氣孔且位于薄石英管開口端的上方，所述薄石英管的一側(cè)設(shè)有激光切割器，另一側(cè)設(shè)有硅片承接板。本發(fā)明采用薄石英管作為硅片成型限邊，由氣冷腔底端的微細(xì)氣孔噴出的氧化氣流接觸硅液面，形成具有氧化層的硅片并直接采用激光切割，從而避免浪費硅料，并可有效緩解硅片應(yīng)力，避免硅片晶向錯位。