一種低衰減環(huán)形纖芯光纖
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910527466.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN110244404B | 公開（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申請公布號 | CN110244404B | 申請公布日 | 2021-04-20 |
| 分類號 | G02B6/02(2006.01)I;G02B6/036(2006.01)I | 分類 | 光學(xué); |
| 發(fā)明人 | 羅文勇;杜城;何茂友;柯一禮;伍淑堅;李偉;余志強;朱僑;曾凡球 | 申請（專利權(quán)）人 | 新疆烽火光通信有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 武漢智權(quán)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 董婕 |
| 地址 | 430000湖北省武漢市東湖高新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新四路6號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種低衰減環(huán)形纖芯光纖，涉及低衰減光纖領(lǐng)域。該光纖由內(nèi)至外依次包括內(nèi)石英包層、環(huán)形纖芯和外石英包層，其中，內(nèi)石英包層和外石英包層均由摻鉀、鋰或硼的二氧化硅組成，環(huán)形纖芯由僅摻鍺或者鍺鉀、鍺鋰共摻的二氧化硅組成；內(nèi)石英包層的折射率與外石英包層的折射率相等，且環(huán)形纖芯的折射率大于內(nèi)石英包層的折射率。該光纖還包括位于內(nèi)石英包層與環(huán)形纖芯之間的內(nèi)下凹石英包層以及位于環(huán)形纖芯與外石英包層之間的外下凹石英包層；內(nèi)下凹石英包層和外下凹石英包層均由僅摻氟或者氟鉀、氟鋰共摻的二氧化硅組成，內(nèi)下凹石英包層的折射率與外下凹石英包層的折射率相等。本發(fā)明提供的光纖具有低衰減和高階OAM模式傳輸?shù)膬?yōu)點。?? |
