單晶硅鑄錠的制造工藝和鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110283625.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102330143B 公開(kāi)（公告）日 2013-10-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN102330143B 申請(qǐng)公布日 2013-10-02
分類(lèi)號(hào) C30B11/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 金越順;朱衛(wèi)峰;衛(wèi)國(guó)軍;袁華均;傅建根 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 浙江精功新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 紹興市越興專(zhuān)利事務(wù)所 代理人 蔣衛(wèi)東
地址 312030 浙江省紹興市紹興縣柯橋經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)鑒湖西路1809號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 單晶硅鑄錠的制造工藝包括下述步驟：先在石英坩堝底部鋪灑一層籽晶，上面放置多晶硅原料，并加熱熔化；然后緩慢提升隔熱籠，讓熱量從下面的熱交換臺(tái)散發(fā)出去，固液臨界面的高度逐步上移，硅料向上長(zhǎng)晶，最終形成固態(tài)單晶硅鑄錠；保溫隔熱環(huán)條在加熱、長(zhǎng)晶過(guò)程中處于零位，在退火與冷卻階段則向下移動(dòng)。單晶硅鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，包括爐體，石英坩堝、頂部提升裝置，隔熱籠，加熱裝置，保溫材料，交換臺(tái)，底部提升裝置；本發(fā)明的特點(diǎn)是：控制隔熱籠的提升速度來(lái)完成硅材料長(zhǎng)晶，通過(guò)升降保溫隔熱環(huán)條來(lái)保護(hù)固態(tài)籽晶和確保整個(gè)鑄錠均勻退火。優(yōu)點(diǎn)是：獲得大容量的單晶硅鑄錠，既增加了單晶硅單錠產(chǎn)量，又提高了硅片的光電轉(zhuǎn)化效率。