絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210117032.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114156180A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114156180A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-08 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/331（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 胡鈺祺 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 紹興中芯集成電路制造股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 田婷 |
| 地址 | 312000浙江省紹興市皋埠鎮(zhèn)臨江路518號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法，所述絕緣柵雙極型晶體管的制造方法包括：提供一襯底，形成溝槽于所述襯底中；形成摻雜層于所述溝槽底部；執(zhí)行退火工藝，使得所述摻雜層中的摻雜離子擴(kuò)散進(jìn)入所述襯底中，以形成包圍所述溝槽底部的少子存儲(chǔ)層；去除所述摻雜層；形成柵極結(jié)構(gòu)于所述溝槽中；以及，形成體區(qū)于所述溝槽兩側(cè)的襯底頂部，所述體區(qū)與所述少子存儲(chǔ)層之間間隔所述襯底。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠減小對(duì)閾值電壓的影響且降低成本。 |
