SiC基歐姆接觸結(jié)構(gòu)及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110731269.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113178384B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113178384B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-18 |
| 分類號(hào) | H01L21/04（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李翔;謝志平;叢茂杰;闞志國(guó) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 紹興中芯集成電路制造股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 田婷 |
| 地址 | 312000 浙江省紹興市皋埠鎮(zhèn)臨江路518號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種SiC基歐姆接觸結(jié)構(gòu)及其制造方法，在對(duì)所述SiC基材區(qū)進(jìn)行離子摻雜以形成離子摻雜區(qū)之后且在進(jìn)行退火處理以激活所述離子摻雜區(qū)中的摻雜離子之前，先在所述襯底上形成具有第一開(kāi)口的保護(hù)層，所述第一開(kāi)口暴露出所述離子摻雜區(qū)的至少部分頂面，由此，在該保護(hù)層的掩蔽作用下，在退火處理過(guò)程中激活所述離子摻雜區(qū)中的摻雜離子，并使得所述第一開(kāi)口暴露出的離子摻雜區(qū)的頂面因發(fā)生SiC升華而變?yōu)榇植陧斆?，從而在沉積金屬層并再次退火后而形成SiC基歐姆接觸時(shí)，可以利用粗糙頂面而提高金屬與離子摻雜區(qū)之間的結(jié)合性能，進(jìn)而使得SiC基歐姆接觸具有更低的接觸電阻，從而提高器件性能。 |
