一種屏蔽柵溝槽型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011595840.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114093759A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114093759A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/28（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 袁家貴;何云;劉長(zhǎng)靈;王登 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 紹興中芯集成電路制造股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 紹興市寅越專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 鄧愛(ài)民 |
| 地址 | 312000浙江省紹興市越城區(qū)皋埠街道臨江路518號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種屏蔽柵溝槽型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，該方法是在溝槽形成、第一氧化硅層形成以及屏蔽柵形成后，先在溝槽內(nèi)、溝槽側(cè)壁以及基體表面形成第二氧化硅層，然后通過(guò)三次CMP工藝去除基體表面氧化硅層，即：先采用CMP工藝去除基體表面大部分的氧化硅層，再采用對(duì)氧化硅層和基體高選擇比的研磨液進(jìn)行CMP工藝去除基體表面剩余的氧化硅層，然后采用對(duì)氧化硅層和基體低選擇比的研磨液進(jìn)行CMP工藝去除基體表面損傷層；去除溝槽內(nèi)屏蔽柵頂部多余的第二氧化硅層后，在溝槽內(nèi)形成柵極。本發(fā)明采用無(wú)ONO的結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化了工藝環(huán)節(jié)，顯著降低了制造成本，通過(guò)合理的平坦化工藝設(shè)計(jì)消除了對(duì)硅表面造成的損傷。 |
