屏蔽柵溝槽型功率MOSFET器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210143978.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114188410A 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN114188410A 申請公布日 2022-03-15
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周振強(qiáng) 申請（專利權(quán)）人 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹廷廷
地址 312000浙江省紹興市皋埠鎮(zhèn)臨江路518號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種屏蔽柵溝槽型功率MOSFET器件，在屏蔽柵的兩側(cè)設(shè)置浮空柵，使得沒有大面積的屏蔽柵與漂移區(qū)直接通過介質(zhì)層組成電容，在相同耐壓、相同導(dǎo)通電阻下，漏源電容可以做得更小，降低了開關(guān)損耗，提高了器件的效率。進(jìn)一步的，本發(fā)明中屏蔽柵底部與頂部相對于浮空柵有適當(dāng)長度的外露，在相同偏壓下，將設(shè)置浮空柵對漂移區(qū)耗盡效果的影響降到更低，減小了對器件耐壓性能影響。