超結(jié)半導(dǎo)體器件及其形成方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210103855.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114122115A | 公開（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114122115A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類號(hào) | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 梁路;王東;韓廷瑜 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 紹興中芯集成電路制造股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 田婷 |
| 地址 | 312000浙江省紹興市皋埠鎮(zhèn)臨江路518號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種超結(jié)半導(dǎo)體器件及其形成方法。該形成方法包括在具有第一摻雜類型的襯底上多次執(zhí)行外延生長(zhǎng)工藝，形成疊加設(shè)置的多個(gè)子外延層，在一次外延生長(zhǎng)工藝結(jié)束而下一次外延生長(zhǎng)工藝開始前，執(zhí)行第一摻雜類型離子注入在頂部子外延層中形成位于所述頂部子外延層上部的界面補(bǔ)償區(qū)，所述界面補(bǔ)償區(qū)與多個(gè)子外延層之間的界面較近，可以改善多個(gè)子外延層中層與層之間的阻抗高于目標(biāo)值且穩(wěn)定性差的問(wèn)題，有助于N柱和P柱的電荷平衡，提升器件耐壓性能和成品率。本發(fā)明提供的超結(jié)半導(dǎo)體器件采用上述形成方法形成，其中多個(gè)子外延層中層與層之間的阻抗降低且穩(wěn)定性提高，有助于提升超結(jié)半導(dǎo)體器件的耐壓性能和成品率。 |
