溝槽功率半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210117031.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114156343A 公開（公告）日 2022-03-08
申請公布號 CN114156343A 申請公布日 2022-03-08
分類號 H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周振強 申請（專利權(quán)）人 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 田婷
地址 312000浙江省紹興市皋埠鎮(zhèn)臨江路518號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種溝槽功率半導(dǎo)體器件，在器件終端區(qū)深溝槽的終端結(jié)位置和/或臺面（mesa）位置對應(yīng)形成第一二極管和第二二極管，以在源極金屬與漏極金屬之間增加由所述第一二極管和所述第二二極管反向串聯(lián)的支路。在器件寄生二極管正向?qū)〞r，第一二極管不導(dǎo)通；寄生二極管反向恢復(fù)期間過?？昭ɡ鄯e量超過一定程度，反向串聯(lián)的支路中第二二極管耗盡穿通，第一二極管導(dǎo)通，即在終端區(qū)增加了若干個高效且?guī)缀鯚o不利影響的空穴抽取路徑，大幅度減少了元胞區(qū)和終端區(qū)之間的過渡區(qū)附近過剩空穴累積量，降低了電場峰值，使動態(tài)雪崩薄弱點得以加固而可靠，大幅度提高了器件在大電感條件下和快速開關(guān)情況下的應(yīng)用能力。