一種低應(yīng)力MEMS器件制造方法及低應(yīng)力MEMS器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111161256.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114084867A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114084867A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-25 |
| 分類號(hào) | B81C1/00（2006.01）I;B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I | 分類 | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
| 發(fā)明人 | 閭新明;林欣蓉;魯列微 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 紹興中芯集成電路制造股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 紹興市知衡專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 鄧愛(ài)民 |
| 地址 | 312000浙江省紹興市越城區(qū)皋埠街道臨江路518號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種低應(yīng)力MEMS器件制造方法及低應(yīng)力MEMS器件，其方法是在襯底上形成至少三層致密性自下而上由高到底的氧化層作為犧牲介質(zhì)層，并在現(xiàn)有干法刻蝕后，增加濕法刻蝕改變干法刻蝕所形成的電極材料沉積窗口的側(cè)壁形貌，令其由陡直側(cè)壁變?yōu)閳A弧形側(cè)壁，這樣上電極材料層沉積后形成的電極填充部也為圓弧形結(jié)構(gòu)，可以顯著消除陡直結(jié)構(gòu)造成的應(yīng)力集中問(wèn)題，有效延長(zhǎng)MEMS器件的工作壽命。 |
