一種太陽(yáng)能電池及其電池背拋光工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201611236793.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106653948A 公開(kāi)（公告）日 2017-05-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN106653948A 申請(qǐng)公布日 2017-05-10
分類(lèi)號(hào) H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L31/042(2014.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 李璐;孫杰;高楊;羅小剛;高慧慧;杜靈 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江西瑞晶太陽(yáng)能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江西瑞晶太陽(yáng)能科技有限公司
地址 338019 江西省新余市下村工業(yè)基地大一路江西瑞晶太陽(yáng)能科技有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種太陽(yáng)能電池及其電池背拋光工藝，屬于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域。該太陽(yáng)能電池背拋光工藝包括：將硅片于15～35℃的刻蝕液中浸泡100～150s進(jìn)行刻蝕處理，刻蝕液由質(zhì)量分?jǐn)?shù)為65～68％的HNO3和質(zhì)量分?jǐn)?shù)為48～49％的HF按照體積比5～5.5：1混合而成；以及將刻蝕處理后的硅片置于20～30℃的堿液和/或酸液中進(jìn)行清洗70～100s，再用水清洗處理后的硅片。通過(guò)這種拋光工藝，使硅片背面更加光滑，甚至達(dá)到鏡面效果，以形成更均勻的背場(chǎng)并提高電池背光面對(duì)光的反射率和吸收率。本發(fā)明還提供太陽(yáng)能電池，這種太陽(yáng)能電池的電池背光面采用上述拋光工藝制得，這種太陽(yáng)能電池對(duì)光的吸收率大，且轉(zhuǎn)化率高。