DBC覆銅陶瓷基板上圓形半腐蝕沉孔的設(shè)計(jì)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111119413.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113950193A | 公開（公告）日 | 2022-01-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113950193A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-18 |
| 分類號(hào) | H05K3/00（2006.01）I | 分類 | 其他類目不包含的電技術(shù); |
| 發(fā)明人 | 陳天華;賀賢漢;周軼靚;徐節(jié)召;陽強(qiáng)俊;戴洪興 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海富樂華半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海申浩律師事務(wù)所 | 代理人 | 趙建敏 |
| 地址 | 200444上海市寶山區(qū)山連路181號(hào)3幢 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種DBC覆銅陶瓷基板上圓形半腐蝕沉孔的設(shè)計(jì)方法，包括：A、菲林圖形設(shè)計(jì)：包括位于中心的圓形非曝光圈以及環(huán)形設(shè)置在該圓形非曝光圈外的多個(gè)環(huán)形圈。每個(gè)環(huán)形圈由交替設(shè)置的扇形非曝光區(qū)域和扇形曝光區(qū)域組成；外層環(huán)形圈中的扇形非曝光區(qū)域的中心位于內(nèi)層環(huán)形圈中扇形非曝光區(qū)域側(cè)邊延長(zhǎng)線上；環(huán)形圈與圓形非曝光圈之間，相鄰兩個(gè)環(huán)形圈之間的區(qū)域?yàn)槠毓鈪^(qū)域；B、沉孔加工：圖形設(shè)計(jì)完畢后，先進(jìn)行顯影去除曝光區(qū)域，而后蝕刻去除非曝光區(qū)域，得到圓形半腐蝕沉孔。根據(jù)本發(fā)明方法制成的沉孔弧面光滑，與底部垂直，且尺寸精確，滿足了后道封裝時(shí)焊接要求。 |
