陶瓷基板圖形化方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110941555.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113777886A 公開（公告）日 2021-12-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113777886A 申請(qǐng)公布日 2021-12-10
分類號(hào) G03F7/16（2006.01）I;G03F7/20（2006.01）I;G03F9/00（2006.01）I;G03F7/32（2006.01）I;G03F7/40（2006.01）I;H05K3/06（2006.01）I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 管鵬飛;賀賢漢;葛荘;王斌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海富樂華半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申浩律師事務(wù)所 代理人 趙建敏
地址 200444上海市寶山區(qū)山連路181號(hào)3幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種陶瓷基板圖形化方法，包括：A、基板表面處理，去除陶瓷基板表面的油污和雜質(zhì)后，進(jìn)行酸性微蝕，增加基板表面粗糙度；B、旋轉(zhuǎn)勻膠，滴少量的光刻膠到基板表面，采用2000～2500rpm/5s速度動(dòng)態(tài)布膠，主轉(zhuǎn)速為3000～4000rpm/40s，并采用4000～4500rpm/10s速度甩邊緣液滴；C、軟烘，在115±1℃條件下烘干100～150s，去除多余溶液；D、第一面曝光，將第一面向上光刻曝光，曝光圖案中設(shè)置對(duì)位MarK點(diǎn)；光刻時(shí)，采用接觸式或接近式曝光，光刻能量10?50mW/cm，光刻時(shí)間1?20s，提高曝光精度；E、第二面對(duì)位曝光，將第二面向上光刻曝光，CCD相機(jī)通過承片臺(tái)開槽識(shí)別第一面對(duì)位Mark點(diǎn)，對(duì)第二面進(jìn)行對(duì)位曝光并進(jìn)行光刻，開槽的寬度為曝光mark點(diǎn)的1.5?3倍；F、顯影及硬烘。