基于蝕刻工藝的超薄加熱板及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210195667.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114710848A 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN114710848A 申請公布日 2022-07-05
分類號 H05B3/20（2006.01）I;H05B3/02（2006.01）I 分類 其他類目不包含的電技術;
發(fā)明人 王斌;賀賢漢;竇正旭;唐冬梅;孫泉 申請（專利權）人 上海富樂華半導體科技有限公司
代理機構 上海申浩律師事務所 代理人 -
地址 200444上海市寶山區(qū)山連路181號3幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于蝕刻工藝的超薄加熱板及其制備方法，該陶瓷基板包括導電發(fā)熱片以及設置在該導電發(fā)熱片圖形層上的高導熱陶瓷均溫板。其中，導電發(fā)熱片上帶有銅電極，并且銅電極上接有引線；導電發(fā)熱片由陶瓷絕緣基板、焊料、銅箔三者疊層后經高溫真空燒結并經圖形化工藝處理而成。制備方法包括母板制備、焊接層圖形化、導電發(fā)熱片制備、發(fā)熱板制備。本發(fā)明使用高熔點低電阻的AMB焊接層作為發(fā)熱體，可在400℃以下持續(xù)使用，焊接層的電阻率為1.5?5×10?6Ω·m，克服了傳統(tǒng)利用聚酰亞胺材料絕緣的金屬箔發(fā)熱片存在的使用溫度低的缺陷。發(fā)熱均勻性方面，上表面所用材料為高導熱的氮化鋁陶瓷，熱導率大于170W/m·K，可保證發(fā)熱的均勻性。