一種鋁碳化硅復合材料制備的IGBT基板

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721670812.2 申請日 -
公開（公告）號 CN207834281U 公開（公告）日 2018-09-07
申請公布號 CN207834281U 申請公布日 2018-09-07
分類號 H01L23/373;H01L23/367;H01L23/14;H01L23/38 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳鋒;楊博 申請（專利權）人 西安創(chuàng)正新材料有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 710300 陜西省西安市灃京工業(yè)園創(chuàng)業(yè)基地3號樓1層西戶
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種鋁碳化硅復合材料制備的IGBT基板，所述IGBT基板包括焊接面和散熱面，所述焊接面為平面結構，所述散熱面為拱形結構，所述焊接面和散熱面均為鋁合金層（2），所述焊接面和散熱面之間包括AlSiC層（1），所述焊接面、AlSiC層（1）和散熱面為一體結構；所述IGBT基板的兩側還包括半導體制冷片（5），所述半導體制冷片（5）的制冷端與所述IGBT基板的兩側貼合。本實用新型所述IGBT基板具有較高的熱導率和與IGBT封裝材料相匹配的熱膨脹系數(shù)，散熱速度快。