半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202020535643.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN211578758U | 公開（公告）日 | 2020-09-25 |
| 申請公布號 | CN211578758U | 申請公布日 | 2020-09-25 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王鵬;徐大朋;羅杰馨;柴展 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海功成半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司;上海功成半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 201800上海市嘉定區(qū)城北路235號1號樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；第一導(dǎo)電類型的外延結(jié)構(gòu)，外延結(jié)構(gòu)包括至少兩層外延單元層，且至少兩層具有不同的摻雜濃度；溝槽結(jié)構(gòu)以及形成于溝槽結(jié)構(gòu)中的第二導(dǎo)電類型的柱結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型在制備外延結(jié)構(gòu)的過程中，制備出包括少兩層外延單元層的外延結(jié)構(gòu)，且外延單元層中的至少兩層具有不同的摻雜濃度，可以基于上述材料層的設(shè)置改變形成在外延結(jié)構(gòu)中的溝槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的形貌，從而可以使得在溝槽結(jié)構(gòu)中形成的柱結(jié)構(gòu)的形貌依據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行改進(jìn)，可以改變溝槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁與底部之間的傾斜情況，即改變柱結(jié)構(gòu)側(cè)壁與底部之間的傾斜情況，進(jìn)而可以改善由其引起的電容急劇變化的問題。?? |
