半導體器件結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020294837.2 申請日 -
公開（公告）號 CN211238262U 公開（公告）日 2020-08-11
申請公布號 CN211238262U 申請公布日 2020-08-11
分類號 H01L29/06(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 徐大朋;薛忠營;羅杰馨;柴展 申請（專利權）人 上海功成半導體科技有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 上海新微技術研發(fā)中心有限公司;上海功成半導體科技有限公司
地址 201800上海市嘉定區(qū)城北路235號1號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種半導體器件結構，包括：第一導電類型的第一基底，與第一基底相鍵合的第一導電類型的第二基底，第二導電類型的第一柱結構及第二柱結構，形成于第一基底中，第二柱結構與第一柱結構構成聯(lián)合柱結構。本實用新型在第一溝槽及第一柱結構的制備的同時，引入了第二基底及第二溝槽，并形成第二柱結構，得到聯(lián)合柱結構，從而可以第二溝槽改變第一溝槽的形貌，從而可以得到需要形狀的聯(lián)合柱結構，以適應器件的需求，可以解決由于第一溝槽的形貌的限制所帶來的器件結構中電荷不平衡的問題，改善了電場的重新分布，提高了器件的耐壓水平，提高器件性能。??