超結(jié)器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022983441.1 申請日 -
公開（公告）號 CN213660412U 公開（公告）日 2021-07-09
申請公布號 CN213660412U 申請公布日 2021-07-09
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐大朋;薛忠營;羅杰馨;柴展 申請（專利權(quán)）人 上海功成半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅泳文
地址 201800上海市嘉定區(qū)城北路235號1號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種超結(jié)器件，包括：1）提供第一襯底，所述第一襯底包括第一主面及第二主面，基于光掩模，通過光刻?刻蝕工藝在第一襯底的第一主面刻蝕出溝槽，溝槽呈倒梯形；2）將第一襯底與第二襯底鍵合；3）減薄第一襯底，并保留一支撐層；4）氧化支撐層，腐蝕去除氧化層，以顯露溝槽；5）基于與所述光掩模圖形相同的硬掩膜版，對溝槽的底部進(jìn)行刻蝕，以增大溝槽的底部寬度，使溝槽的形貌概呈矩形。本實用新型通過自寬度較小的溝槽底部進(jìn)行刻蝕，以增大該溝槽底部的尺寸，從而使得該溝槽呈矩形，從而縮小超結(jié)結(jié)構(gòu)中的P型柱和N型柱的電荷差距，使超結(jié)器件達(dá)到電荷平衡，從而提高超結(jié)器件的耐壓性能及降低超結(jié)器件的導(dǎo)通電阻。