FD-SOI襯底結(jié)構(gòu)及器件結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020792435.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211828771U | 公開（公告）日 | 2020-10-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211828771U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-30 |
| 分類號(hào) | H01L27/12(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 徐大朋;薛忠營;羅杰馨;柴展 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海功成半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司;上海功成半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 201800上海市嘉定區(qū)城北路235號(hào)1號(hào)樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種FD?SOI襯底結(jié)構(gòu)及器件結(jié)構(gòu)，F(xiàn)D?SOI襯底結(jié)構(gòu)包括依次層疊的硅基底、埋氧化層、頂鍺硅層及氮氧化鍺層。本實(shí)用新型的襯底結(jié)構(gòu)采用頂鍺硅層及氮氧化鍺層的堆棧結(jié)構(gòu)，頂鍺硅層作為器件的溝道，不需要進(jìn)行摻雜且厚度較薄，可以大幅降低源漏極之間的泄漏電流，另一方面，頂鍺硅層可大幅提高空穴遷移率，進(jìn)而提高器件性能。頂鍺硅層上覆蓋氮氧化鍺層，可以有效防止鍺硅溝道表面形成溶于水的GeO2或易揮發(fā)的GeO，提高器件的穩(wěn)定性。?? |
