基于硅光轉(zhuǎn)接板技術(shù)的硅基光電子器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202020792537.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN212083723U 公開（公告）日 2020-12-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN212083723U 申請(qǐng)公布日 2020-12-04
分類號(hào) G02B6/12;G02B6/42 分類 光學(xué);
發(fā)明人 蔡艷;涂芝娟;汪巍;余明斌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海功成半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅泳文
地址 201800 上海市嘉定區(qū)城北路235號(hào)1號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種基于硅光轉(zhuǎn)接板技術(shù)的硅基光電子器件及制備方法，器件包括：硅光器件，包括有源器件結(jié)構(gòu)及無源器件結(jié)構(gòu)，有源器件結(jié)構(gòu)具有引出電極，并覆蓋有介質(zhì)層；轉(zhuǎn)接孔及硅穿孔，貫穿至硅襯底，其內(nèi)壁形成有絕緣層及導(dǎo)電層；接觸孔，貫穿至引出電極；正面重新布線層，正面重新布線層以實(shí)現(xiàn)有源器件結(jié)構(gòu)的引出電極與導(dǎo)電層的電性連接；第一凸點(diǎn)層，形成于正面重新布線層上；反面重新布線層，與導(dǎo)電層電性連接；第二凸點(diǎn)層，形成于反面重新布線層上。本實(shí)用新型硅光轉(zhuǎn)接板的制備與硅光器件具有較高的兼容性，可以大幅降低光電混合集成的成本。本實(shí)用新型為硅光芯片及其控制芯片提供超短距離電氣互連，能夠有效提高器件的集成密度。