半導(dǎo)體器件解理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110894220.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113345838A 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN113345838A 申請公布日 2021-09-03
分類號 H01L21/78（2006.01）I;H01L21/3065（2006.01）I;H01L21/308（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊國文;王希敏;惠利省 申請（專利權(quán)）人 度亙核芯光電技術(shù)（蘇州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 楊萌
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)20幢215、217室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件解理方法，涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域。所述半導(dǎo)體器件解理方法包括如下步驟：通過等離子刻蝕或者化學(xué)腐蝕的方式在半導(dǎo)體器件的上表面形成向下表面一側(cè)凹陷的凹陷結(jié)構(gòu)，自所述半導(dǎo)體器件的上表面朝向下表面方向，所述凹陷結(jié)構(gòu)的寬度逐漸減?。辉诎雽?dǎo)體器件的上表面形成絕緣保護(hù)層;將半導(dǎo)體器件沿凹陷結(jié)構(gòu)的深度方向進(jìn)行解理。凹陷結(jié)構(gòu)的寬度呈逐漸遞減的形式向半導(dǎo)體器件內(nèi)部延伸，從該位置處進(jìn)行解理，可以在解理時(shí)能夠使應(yīng)力更集中。在半導(dǎo)體器件上表面形成絕緣保護(hù)層，可以防止在后續(xù)解理后的小半導(dǎo)體器件封裝過程中，由于焊料容易移到半導(dǎo)體器件側(cè)面，導(dǎo)致P面電子與N面襯底電接觸形成短路和漏電。