增強低阻氯堿電解槽隔膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911417931.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111188060A 公開（公告）日 2020-05-22
申請公布號 CN111188060A 申請公布日 2020-05-22
分類號 C25B13/08;C25B13/02;C25B1/46 分類 電解或電泳工藝；其所用設備〔4〕;
發(fā)明人 張永明;雷建龍;薛帥;劉烽;王麗;戴瓊;陳靜;屈凌波 申請（專利權）人 山東東岳高分子材料有限公司
代理機構 青島發(fā)思特專利商標代理有限公司 代理人 山東東岳未來氫能材料有限公司;山東東岳高分子材料有限公司;山東東岳未來氫能材料股份有限公司
地址 256401 山東省淄博市桓臺縣唐山鎮(zhèn)東岳氟硅材料產業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種增強低阻氯堿電解槽隔膜及其制備方法，屬于離子交換膜技術領域。本發(fā)明所述的電解槽隔膜，包括基膜，基膜的兩面設有功能表面涂層，基膜由全氟磺酸聚合物層和全氟羧酸聚合物層組成，全氟磺酸聚合物層內設有增強材料網，全氟磺酸聚合物層內設有鏤空隧道；功能表面涂層為全氟離子聚合物構成的多孔粗糙結構。本發(fā)明所述的電解槽隔膜，不僅降低了膜體電阻，有利于離子的快速傳導，而且降低了膜表面對氣泡的粘附力，還提高了膜表面的有效電解面積，減少了局部極化現象，適合在新型高電流密度條件下的零極距電解槽中運行，可顯著降低槽電壓，降低能耗；本發(fā)明同時提供了簡單易行的制備方法。