深硅刻蝕雙層復合掩膜層

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202123047164.4 申請日 -
公開（公告）號 CN216698283U 公開（公告）日 2022-06-07
申請公布號 CN216698283U 申請公布日 2022-06-07
分類號 H01L21/308（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周望;劉柏含;劉澤文;陳濤 申請（專利權）人 蘇州希美微納系統(tǒng)有限公司
代理機構 北京同輝知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)9棟402室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種深硅刻蝕雙層復合掩膜層，其包括SiO2薄膜和AZ4620光刻膠，總厚度為6至10μm。通過PE CVD制備SiO2薄膜，旋涂AZ4620光刻膠，光刻、顯影和刻蝕SiO2薄膜獲得最終產(chǎn)品。由此，采用雙層掩蔽層結(jié)構，既解決了SiO2無法長厚的難題，也解決了光刻膠去膠難題。整個加工過程簡單，無需考慮深硅刻蝕工藝選擇比，也無需考慮加工間隔等待時間。