熱電堆紅外探測(cè)器芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202123011494.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN216698422U 公開(kāi)（公告）日 2022-06-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN216698422U 申請(qǐng)公布日 2022-06-07
分類號(hào) H01L35/22（2006.01）I;H01L35/34（2006.01）I;H01L35/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周望;劉柏含;劉澤文;陳濤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州希美微納系統(tǒng)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)9棟402室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種熱電堆紅外探測(cè)器芯片，在SOI襯底上逆向成長(zhǎng)各層結(jié)構(gòu)，利用硅硅鍵合將各層結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至濕法深腔Si襯底表面，最后在轉(zhuǎn)移芯片頂部生長(zhǎng)吸收層材料。由此，利用硅硅鍵合將SOI襯底生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)層轉(zhuǎn)移到濕法深硅刻蝕完成的硅片上，能使用濕法工藝提高生產(chǎn)效率并降低成本。能避免背面刻蝕過(guò)程中正面結(jié)構(gòu)被腐蝕而受到損壞，提高優(yōu)良率。整體制備方式較為簡(jiǎn)單，能夠優(yōu)化熱電堆響應(yīng)率、探測(cè)率和響應(yīng)時(shí)間制備效率高。